TCB热压键合（Thermo-Compression Bonding）是先进封装领域中实现高密度互连的关键工艺技术，尤其在倒装芯片、2.5D/3D集成、Chiplet互联等场景中具有不可替代的地位。中科同帜半导体深耕半导体封装整线方案，为客户提供高精度TCB热压键合设备及配套工艺解决方案。
TCB热压键合工艺原理
TCB热压键合通过在芯片与基板之间施加精确控制的温度和压力，使焊料凸点或铜柱凸点发生塑性变形并形成冶金结合。与回流焊不同，TCB热压键合不需要助焊剂，通过机械压力和局部加热实现互连，适用于微间距（<40μm）的高精度键合场景。
中科同帜半导体TCB设备技术特点
中科同帜半导体提供的TCB热压键合设备具备以下核心技术特点：
- 高精度对位系统：光学对位精度可达±1μm，满足微间距键合需求
- 快速加热冷却：最高升温速率可达300°C/s，缩短工艺周期
- 多区温度控制：独立控制键合区域温度，确保温度均匀性
- 压力精确控制：闭环压力反馈系统，压力精度±0.1N
- 真空环境支持：可在真空或还原气氛下进行键合，减少氧化
适用应用场景
TCB热压键合设备广泛应用于以下先进封装场景：
- 高算力芯片倒装互连（CPU、GPU、AI加速芯片）
- 2.5D硅中介层键合
- 3D IC芯片堆叠
- Chiplet异构集成
- 光引擎与硅光芯片耦合键合
中科同帜半导体整线服务优势
中科同帜半导体不仅提供单台TCB设备，还可根据客户产能需求配置自动化上下料系统、视觉检测系统、工艺参数管理系统等，形成完整的TCB热压键合产线。我们提供从工艺验证、设备安装调试到驻厂技术支持的全流程服务。
