热压键合机——TCB350
\n产品名称：热压键合机——TCB350
\n产品分类：晶圆键合机
\n\n产品概述
\n热压键合机TCB350是一款面向先进封装与3D集成的高精度晶圆键合设备，专为满足半导体行业对超薄芯片堆叠、异质集成及高可靠性互连的需求而设计。该设备通过精确控制温度、压力与对位系统，实现晶圆级或芯片级的无空洞键合，广泛应用于存储器、逻辑芯片及MEMS器件制造。TCB350凭借其卓越的工艺稳定性和高产出效率，已成为先进封装产线中的关键工艺节点设备。
\n\n工艺原理
\nTCB350热压键合机基于热压键合（Thermocompression Bonding）原理，通过同时施加精确控制的加热温度与机械压力，使晶圆或芯片表面的金属凸点（如铜、金）发生塑性变形与原子间扩散，形成牢固的冶金连接。设备采用独立控温的双加热系统，确保上下加热板温差极小，配合高精度力控伺服机构，可在数秒内完成键合过程，有效避免热应力导致的芯片翘曲或损伤，实现高一致性、低电阻的互连界面。
\n\n应用场景
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- 3D NAND与高带宽存储器（HBM）的晶圆堆叠键合 \n
- 先进封装中的芯片对晶圆（CoW）及晶圆对晶圆（WoW）混合键合 \n
- MEMS与传感器器件的真空或气氛环境热压封装 \n
技术特点
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- ±0.5°C高精度温度控制，支持多段升温曲线编程，适应不同材料热膨胀系数 \n
- 力控精度达±1%FS，压力均匀性优于95%，避免键合界面空洞产生 \n
- 亚微米级对位系统，结合光学对准与主动补偿，满足2μm以下键合精度要求 \n
- 集成惰性气体保护与真空腔体，防止键合过程中金属氧化，提升界面可靠性 \n
- 模块化设计支持快速换型，兼容8英寸与12英寸晶圆，适配多种金属凸点工艺 \n
技术参数
\n| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 适用晶圆尺寸 | 8英寸 / 12英寸 |
| 键合温度范围 | 室温 ~ 450°C |
| 温度控制精度 | ±0.5°C |
| 键合压力范围 | 10N ~ 5000N |
| 压力均匀性 | ≤ ±3% |
| 对位精度 | ≤ ±1.5μm |
| 腔体真空度 | ≤ 1×10⁻³ mbar |
| 键合周期时间 | ＜ 30秒（标准工艺） |
| 设备尺寸（宽×深×高） | 1800mm × 1600mm × 2200mm |
如需了解更多产品详情，请联系中科同帜半导体。
