高真空共晶炉——HV3

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产品名称：高真空共晶炉——HV3

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产品分类：真空回流炉

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产品概述

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高真空共晶炉——HV3是专为半导体封装与先进电子组装设计的高端真空回流炉。该设备在超高真空环境下实现精确控温与压力调节，确保焊料与基板间的共晶反应无气泡、无氧化。适用于高可靠性器件的焊接工艺，显著提升产品良率与长期稳定性。作为核心真空回流炉产品，HV3融合了先进加热技术与智能控制系统，满足严苛的工业量产需求。

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工艺原理

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高真空共晶炉——HV3基于真空共晶焊接原理，通过将腔体抽至高真空（≤5×10⁻⁵ mbar），彻底排除氧气与湿气。加热系统以多区独立控温方式，使焊料与基板在共晶温度点（如Au80Sn20、Au88Ge12）发生液相扩散。真空环境抑制气孔与氧化层生成，结合精确的升降温曲线，实现高致密度、低空洞率的焊接界面。整个过程由闭环反馈算法自动调节，保障工艺一致性。

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应用场景

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• 大功率半导体器件（如IGBT、SiC模块）的真空共晶封装
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• 光通讯模块与激光器芯片的高可靠焊接组装
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• 航空航天与军工电子中高真空回流炉的精密焊接工艺
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技术特点

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• 超高真空度：极限真空≤5×10⁻⁵ mbar，有效抑制焊接空洞与氧化
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• 多区独立控温：8温区PID控制，温度均匀性±1.5℃
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• 快速升降温：支持最大20℃/s升温速率，适配多种共晶材料
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• 智能工艺数据库：内置50+标准共晶曲线，一键调用
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• 模块化腔体设计：可兼容200mm及以下尺寸基板，维护便捷
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技术参数

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参数	数值
极限真空度	≤5×10⁻⁵ mbar
工作温度范围	室温～450℃
温度均匀性	±1.5℃（@300℃）
升温速率	最大20℃/s
冷却方式	水冷+风冷辅助
基板尺寸	最大200mm×200mm
控制精度	±0.5℃
电源要求	AC 380V，50Hz，15kW

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如需了解更多产品详情，请联系中科同帜半导体。