低空洞、无助焊剂的高洁净真空焊接系统—H3
\n产品名称：低空洞、无助焊剂的高洁净真空焊接系统—H3
\n产品分类：银烧结铜烧结
\n产品概述
低空洞、无助焊剂的高洁净真空焊接系统—H3是专为银烧结与铜烧结工艺设计的高端设备。该系统通过真空环境实现低空洞率焊接，无需助焊剂，确保高洁净度。H3系统适用于功率半导体模块、第三代半导体器件等高可靠性封装，显著提升焊接层导热与导电性能，是先进封装领域的理想选择。
\n工艺原理
H3系统在真空腔体内利用高温高压条件，使银或铜烧结材料在无助焊剂状态下直接扩散连接。真空环境有效排除气体，避免空洞与氧化，同时通过精确控制温度曲线与压力分布，实现致密化烧结层。该工艺基于固相扩散机制，确保低空洞率与高洁净度，满足严苛的可靠性要求。
\n应用场景
- 功率半导体模块（如IGBT、SiC MOSFET）的银烧结封装
- 高可靠性电子组件的铜烧结连接
- 第三代半导体器件（如GaN、SiC）的散热与导电层制备
技术特点
- 真空焊接工艺实现低空洞率（<1%），提升热循环寿命
- 无助焊剂设计避免残留，确保高洁净度焊接界面
- 高精度温度控制（±1°C）与均匀压力分布，保障烧结一致性
- 兼容银烧结与铜烧结双工艺，灵活适配多种材料
- 全自动化操作系统，配备实时真空监测与工艺参数追溯
技术参数
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 极限真空度 | ≤5×10⁻³ Pa |
| 最高烧结温度 | 450°C |
| 温度控制精度 | ±1°C |
| 压力范围 | 0-50 MPa（可调） |
| 空洞率 | <1% |
| 适用材料 | 银浆、铜浆、银膜、铜膜 |
| 腔体尺寸 | 300mm x 300mm x 100mm |
| 操作方式 | 全自动PLC控制 |
如需了解更多产品详情，请联系中科同帜半导体。
