纳米银正压烧结炉—— SIN160
\n产品名称：纳米银正压烧结炉—— SIN160
\n产品分类：银烧结铜烧结
\n产品概述
纳米银正压烧结炉 SIN160 是专为银烧结与铜烧结工艺设计的高端半导体封装设备。该设备利用纳米银/铜浆料在正压环境下实现低温连接与高温服役，可显著提升功率模块的散热效率与可靠性。SIN160 采用精准控温与压力控制系统，适用于 IGBT、SiC 等先进功率器件的无铅烧结封装，是第三代半导体封装产线的核心装备。
\n工艺原理
纳米银正压烧结炉基于纳米金属颗粒的低温烧结原理，在施加轴向压力的同时，通过精确加热使纳米银或纳米铜浆料中的有机溶剂挥发，金属颗粒在正压环境下扩散融合，形成致密的烧结银/铜连接层。该连接层具有高导热、高导电及高熔点特性，可在 250°C 以下完成烧结，而工作温度可达 800°C 以上，完美匹配宽禁带半导体的高温应用需求。
\n应用场景
- SiC / GaN 功率模块的银烧结与铜烧结封装
- IGBT 模块的芯片贴装与基板连接
- 高可靠性汽车电子与航空航天功率器件封装
技术特点
- 正压辅助烧结工艺，烧结层致密度高、空洞率低于 1%
- 支持银浆与铜浆双工艺切换，一机多用
- 高精度闭环压力控制，压力均匀性 ±3%
- 惰性气体保护氛围，防止铜浆氧化
- 模块化设计，兼容 6 英寸及 8 英寸产线自动上下料
技术参数
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 最大工作压力 | 20 MPa |
| 压力均匀性 | ±3% |
| 最高烧结温度 | 400°C |
| 温度均匀性 | ±2°C |
| 支持工艺 | 银烧结 / 铜烧结 |
| 腔体尺寸 | 160 mm × 160 mm |
| 保护气氛 | N₂ / Ar / 甲酸混合气 |
| 控制方式 | PLC + 触摸屏，支持 SECS/GEM 通讯 |
如需了解更多产品详情，请联系中科同帜半导体。
