全自动纳米银/纳米铜正压烧结炉——SIN300

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产品名称：全自动纳米银/纳米铜正压烧结炉——SIN300

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产品分类：银烧结铜烧结

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产品概述

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全自动纳米银/纳米铜正压烧结炉——SIN300是一款专为功率半导体封装设计的银烧结与铜烧结设备，通过精确控制压力、温度及气氛实现高可靠连接。该设备支持纳米银膏与纳米铜膏的自动化烧结工艺，适用于IGBT、SiC等模块的芯片贴装，显著提升散热效率与抗疲劳性能。SIN300采用全自动上下料与闭环压力控制，确保烧结层致密均匀，是第三代半导体封装领域的理想选择。

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工艺原理

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银烧结与铜烧结工艺基于纳米金属颗粒在压力辅助下的低温烧结原理。纳米银或纳米铜浆料在正压环境下，通过加热使颗粒表面原子扩散并形成致密烧结层，实现芯片与基板之间的无空洞连接。正压烧结可有效排出有机溶剂并降低孔隙率，同时避免高温对芯片的损伤。SIN300通过精准控温与压力曲线，实现纳米银或纳米铜的快速致密化，形成高导热、高可靠的烧结界面。

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应用场景

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• SiC MOSFET与IGBT功率模块的芯片银烧结与铜烧结封装
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• 高功率密度LED与激光器器件的纳米银/纳米铜烧结固定
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• 航天、新能源汽车电控系统用功率器件的银烧结铜烧结工艺
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技术特点

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• 全自动上下料与真空/正压烧结流程，支持纳米银与纳米铜切换
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• 闭环压力控制精度达±1%，确保烧结层厚度与密度均匀
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• 最高烧结温度400℃，可兼容银烧结与铜烧结工艺需求
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• 低氧含量气氛保护系统，防止纳米铜氧化，提升烧结质量
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• 模块化设计，支持MES系统对接，实现生产数据追溯
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技术参数

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参数	数值
烧结压力范围	0.1-30 MPa
最高烧结温度	400℃
温度均匀性	±3℃（200℃恒温区）
压力控制精度	±1%
烧结腔体尺寸	300mm×300mm（可定制）
气氛类型	氮气、氩气、甲酸混合气
氧含量控制	< 20 ppm
设备尺寸（长×宽×高）	1800mm×1200mm×2000mm

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如需了解更多产品详情，请联系中科同帜半导体。