在线式甲酸真空烧结炉VF400
\n产品名称：在线式甲酸真空烧结炉VF400
\n产品分类：银烧结铜烧结
\n\n产品概述
\n在线式甲酸真空烧结炉VF400是专为功率半导体模块银烧结与铜烧结工艺设计的高端设备，采用在线式自动化传输与甲酸还原气氛技术，实现高可靠、低空洞率的烧结连接。该设备适用于IGBT、SiC模块等先进封装场景，支持银膏、银膜及铜膏多种材料，有效提升器件热循环寿命与电性能。VF400集成真空辅助排气与精确温控系统，确保烧结层致密均匀，是第三代半导体封装产线的理想选择。
\n\n工艺原理
\n在线式甲酸真空烧结炉VF400基于银/铜颗粒在甲酸还原气氛下的低温烧结原理：甲酸气体在加热时分解出活性氢原子，有效还原金属氧化物，促进银或铜颗粒间的固态扩散与致密化。设备通过多段加热区精确控制升温曲线，配合真空除气步骤排出烧结层内气泡，最终形成低电阻、高导热、高粘接强度的金属烧结界面。在线式传输设计实现连续化生产，显著提升产能与工艺一致性。
\n\n应用场景
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- 功率半导体模块（IGBT、SiC MOSFET）的银烧结芯片贴装 \n
- 先进封装中铜烧结散热基板与DBC基板的连接 \n
- 高可靠性车规级、航天级电子组件的无压/低压烧结工艺 \n
技术特点
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- 在线式全自动传输系统：支持多工位连续烧结，兼容SMIF/晶圆盒接口，提升量产效率 \n
- 甲酸气氛+真空辅助：还原氧化物同时抑制空洞，烧结层空洞率＜1% \n
- 多温区独立控温：最高400℃，控温精度±1℃，支持分段升温与快速冷却 \n
- 兼容银膏/银膜/铜膏：工艺参数库可切换，满足不同材料烧结需求 \n
- 闭环压力与气氛控制：实时监测甲酸浓度与真空度，保障工艺重复性与安全性 \n
技术参数
\n| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 最高烧结温度 | 400℃ |
| 控温精度 | ±1℃ |
| 真空度 | ≤10 Pa |
| 甲酸流量范围 | 0.1-5 L/min |
| 基板尺寸 | 最大300mm×300mm |
| 产能 | ≥120片/小时（标准工艺） |
| 气氛系统 | N₂/H₂/甲酸多路切换 |
| 冷却方式 | 水冷+风冷快速降温 |
| 电源要求 | 380V/50Hz，三相 |
| 设备尺寸 | 1800mm×1200mm×2000mm |
如需了解更多产品详情，请联系中科同帜半导体。
