全自动纳米银/纳米铜正压烧结炉——sin300
\n产品名称：全自动纳米银/纳米铜正压烧结炉——sin300
\n产品分类：银烧结铜烧结
\n产品概述
全自动纳米银/纳米铜正压烧结炉sin300是专为功率半导体封装设计的高端设备，采用正压辅助烧结技术，实现银/铜纳米颗粒在低温下的致密连接。该设备可广泛应用于IGBT、SiC模块的银烧结与铜烧结工艺，提供高可靠性、高导热率的连接层，显著提升器件的散热效率与长期稳定性，是第三代半导体封装的核心工艺装备。
\n工艺原理
sin300基于纳米银/纳米铜颗粒的表面效应，在正压环境（0.5～10MPa）下，通过精确控温（室温至350℃）使纳米颗粒在远低于熔点的温度下实现扩散与融合。正压可消除孔隙、增加致密度，形成接近块体材料的烧结层。设备支持真空与气氛保护，避免氧化，适用于银浆、铜浆在不同基板（如DBC、AMB）上的可靠烧结。
\n应用场景
- SiC MOSFET/IGBT功率模块的银烧结封装
- 高可靠性车规级IGBT模块的铜烧结连接
- 第三代半导体（GaN、SiC）器件的高导热互连工艺
技术特点
- 全自动压力与温度闭环控制，烧结一致性高
- 支持纳米银与纳米铜双材料工艺，灵活切换
- 正压烧结可达10MPa，致密度＞99%，空洞率＜1%
- 模块化腔体设计，兼容多种尺寸基板与夹具
- 内置气氛保护与真空系统，防止铜氧化
技术参数
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 最高烧结温度 | 350℃ |
| 压力范围 | 0.5～10 MPa |
| 温度均匀性 | ±1.5℃（200℃平台） |
| 腔体尺寸 | 300×300×100 mm |
| 适用材料 | 纳米银浆、纳米铜浆 |
| 气氛系统 | N₂/Ar + 真空（＜10Pa） |
| 控制方式 | 全自动PLC+触摸屏 |
| 电源/功率 | 380V/50Hz，15kW |
如需了解更多产品详情，请联系中科同帜半导体。
